Kristallzüchtung

Herstellung von künstlichen Kristallen, überwiegend zur industriellen Produktion. So werden z.B. Siliciumkristalle für die Halbleiter-Induktion gezüchtet.

Monokristalline Materialien werden v.a. durch das nach seinem Erfinder benannte Czochralski-Verfahren (J. Czochralski, 1885-1953) gewonnen. Es werden damit unter anderem Halbleiter (z.B. Silicium), Metalle oder auch Salze hergestellt. Ein so genannter Impfkristall, befestigt an einem Metallstab, wird in die Schmelze des gewünschten Materials getaucht, auch als "Ziehen aus der Schmelze" oder "Tiegelziehen" bezeichnet.

Das Bridgman-Verfahren wird angewendet, um Polykristalle zu gewinnen. Bei der Abkühlung der Schmelze bilden sich gleichgerichtete Kristallgitter.

Rubine und Spinelle werden nach dem Verneuil-Verfahren gezüchtet, bei dem das feinkörnige Ausgangsmaterial in einer Knallgasflamme geschmolzen wird.

Der Einkristall wächst durch Absenken eines Schamottestiftes.

Das Zonenschmelzverfahren benennt ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen einkristallinen Werkstoffen. Dabei wird durch einen zylindrischen kristallinen Stab eine schmale Schmelzzone gezogen.

Die Kristallzüchtung aus der Gasphase erfolgt durch Sublimation fester Substanzen und anschließende Kondensation (Epitaxie).