Feldeffekttransistor

Abk. FET;

Der Feldeffekttransistor ist ein zur Gruppe der Unipolartransistoren gehörendes steuerbares Halbleiterbauelement. Die Intensität des Ladungstransports wird durch eine äußere Steuergröße beeinflusst - das elektrische Feld. Dabei wird der Feldeffekt genutzt. Die Ladungsträger beim FET sind die Elektronen oder Defektelektronen.

Entsprechend der zwei unterschiedlichen Mechanismen der Feldeffekte werden zwei Grundarten der FET unterschieden:

Sperrschicht-FET (JFET, Abk. für: junction field effect transistor): Die Gate-Elektrode bzw. Gate-Zone bildet einen pn-Übergang mit dem Kanal;

Isolierschicht-FET oder Oberflächen-FET (IGFET, Abk. für: insulated gate field effect transistor): Das Steuerfeld wird mit einer vom Kanal elektrisch isolierten Elektrode erzeugt.