VMOS-Technik

Abk. für: Vertical Metal Oxide Semiconductor,

Die VMOS-Technik ist eine auf Halbleiterbauelemente angewendete Kurzkanaltechnik, womit die Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit bei gleichzeitiger Erhöhung des Integrationsgrades bzw. Reduzierung der Abmessungen und die Verringerung der Kanallängen möglich ist. Diese Parameter lassen sich durch Anwendung der VMOS-Technik sowie der Elektronenstrahllithografie und Röntgenlithografie erreichen.

Die VMOS-Technik ist eine Weiterentwicklung der MOS-Technik, bei der alle Bauelementefunktionen integrierter Schaltkreise mit Feldeffekttransistoren (MISFETs) realisiert werden. Bei MOS-Bauelementen befindet sich der wirksame Strompfad (Kanal) zwischen den Elektroden Source und Drain in horizontaler Lage. Im Unterschied dazu ist der Strompfad Source - Drain bei VMOS-Bauelementen vertikal gerichtet, da mehrere Halbleiterschichten übereinander angeordnet sind. Die V-förmige Nut auf dem Halbleiterkörper teilt den Kanal in zwei kurze Strecken, die eine Erhöhung der Schaltgeschwindigkeit bzw. Verringerung der Schaltzeiten und eine Erhöhung der Grenzfrequenz bewirken.