Feldeffekttransistor
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Abk. FET;
Der Feldeffekttransistor ist ein zur Gruppe der Unipolartransistoren gehörendes steuerbares Halbleiterbauelement. Die Intensität des Ladungstransports wird durch eine äußere Steuergröße beeinflusst - das elektrische Feld. Dabei wird der Feldeffekt genutzt. Die Ladungsträger beim FET sind die Elektronen oder Defektelektronen.
Entsprechend der zwei unterschiedlichen Mechanismen der Feldeffekte werden zwei Grundarten der FET unterschieden:
Sperrschicht-FET (JFET, Abk. für: junction field effect transistor): Die Gate-Elektrode bzw. Gate-Zone bildet einen pn-Übergang mit dem Kanal;
Isolierschicht-FET oder Oberflächen-FET (IGFET, Abk. für: insulated gate field effect transistor): Das Steuerfeld wird mit einer vom Kanal elektrisch isolierten Elektrode erzeugt.
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